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ELA : Excimer Laser Annealing，即準(zhǔn)分子激光退火。
準(zhǔn)分子激光退火：用準(zhǔn)分子激光作為熱源，激光經(jīng)過透射系統(tǒng)后，會(huì)產(chǎn)生能量均勻分布的激光束并被投射于非晶硅結(jié)構(gòu)的玻璃基板上，當(dāng)非晶硅結(jié)構(gòu)的玻璃基板吸收準(zhǔn)分子激光的能量后，就會(huì)轉(zhuǎn)變成為多晶硅結(jié)構(gòu)。
生活中，我們可以聽到LTPS屏。LTPS (Low Temperature Poly-Silicon)，即低溫多晶硅。
傳統(tǒng)的非晶硅材料（a-Si）的電子遷移率只有0.5 ～１ cm2/V S，而低溫多晶硅材料（LTPS）的電子遷移率可達(dá)50～200 cm2/V?S，因此與傳統(tǒng)的非晶硅薄膜晶體管液晶顯示器（a-Si TFT-LCD）相比，低溫多晶硅TFT-LCD具有更高分辨率、反應(yīng)速度快、亮度高(開口率高)等優(yōu)點(diǎn)。同樣LTPS也應(yīng)用到OLED屏上也是如此。
ELA設(shè)備即為將非晶硅材料（a-Si）轉(zhuǎn)化為低溫多晶硅材料（LTPS）的專用設(shè)備。
LTPS擁有更快的電子遷移速率更快，所以LTPS:
響應(yīng)速度更快；
薄膜電路面積更小,功耗?。?nbsp;
能實(shí)現(xiàn)更高的分辨率；
與傳統(tǒng)的非晶硅LCD顯示器，驅(qū)動(dòng)IC與玻璃基板是不可集成的。因此，在驅(qū)動(dòng)IC與玻璃基板之間需要大量的連接器。低溫多晶硅技術(shù)同樣沒有這個(gè)問題。驅(qū)動(dòng)IC可以同玻璃基板直接集成，所需的連接器數(shù)量銳減。所以LTPS：
結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、穩(wěn)定性更高
a-Si缺點(diǎn)是由于不規(guī)則的原子排列狀態(tài)，電子很難移動(dòng)到自己想要的方向，通過ELA工程將a-Si轉(zhuǎn)變?yōu)槎嘟Y(jié)晶形態(tài)的LTPS，僅在多晶硅的邊界上移動(dòng)速度會(huì)變慢，但是在多晶硅的內(nèi)部，電子的移動(dòng)速度會(huì)變高（如上圖所表述的概念）。
LTPS TFT通過改善這種電子的移動(dòng)速度，可以實(shí)現(xiàn)TFT電路的高速動(dòng)作，可以在短時(shí)間內(nèi)供應(yīng)所需的電流量，從而縮小晶體管的大小。高分辨率AMOLED由于需要高密度電路構(gòu)成，通過該工藝，使得高分辨率AMOLED面板制作變得容易?，F(xiàn)在高分辨率面板大部分都使用LTPS TFT。
